CY7C1061G30-10ZSXI — микросхема энергозависимой асинхронной статической памяти с произвольным доступом (SRAM) производства Infineon Technologies.
Объём памяти составляет 16 Мбит. Обмен данными выполняется через параллельный интерфейс, время доступа — 10 нс, цикл записи — 10 нс. Питание подаётся в диапазоне от 2,2 до 3,6 В. Микросхема предназначена для оперативного хранения и буферизации данных в цифровых устройствах, где требуется быстрый обмен с памятью.
Исполнение — поверхностный монтаж, корпус 54-TSOP шириной 10,16 мм (54-TSOP II). Рабочая температура — от −40 до +85 °C (TA). Статус производства — в производстве, соответствие RoHS3.
CY7C1061G30-10ZSXI производства Infineon Technologies в наличии на складе ООО «ЭЛСАП» в Воронеже: 38 шт., срок поставки от 3 дн. Отгрузка юрлицам по России с НДС.
